第150章 相控阵雷达
纳米，与后世相差数千倍。
所以说要想仿制不难，难就难在基础工业差，良品率低的吓人，例如当时生产的一些内存成品率不足两成，加产量低，几乎没有经济效益，只能用在不计成本的项目上，很难大规模生产和应用，甚至不计成本的生产还压缩了研发经费，造成了研发的停滞不前。
这些都为后来电子行业大洗牌埋下了伏笔。
半导体行业可是一个吞金兽，无论是研发还是生产需要的可不是一点钱，就拿现在先进一点4英寸生产线都要几千万美元。
这次江城无线电十四厂能提前一年生产出8080处理器，最主要的原因就是苏长空提供关键光刻掩膜，也是就分析出了8080处理器的电路图，并在芯片的硅圆片制造工艺上提出了核心的技术方向。
可以说，苏长空的出现让江城无线电十四厂至少降低了一半的投入。
不过苏长空也得到了实惠，他手里的锑化铟半导体材料借助江城无线电十四厂实现了半导体元器件的生产，甚至最近苏长空开发的砷化镓gaas半导体材料也是由江城无线电十四厂进行的半导体元器件加工。
锑化铟insb和砷化镓gaas都是第二代半导体材料，相比第一代硅si和锗ge主要用于分离器件如晶体二极管和集成电路，第二半导体就是第一代基础上开始在使用范围上延伸，主要方向是光电和大功率元器件。
锑化铟insb就是光电领域中热红外成像的代表，砷化镓gaas主要是大功率元器件的代表，正是由于砷化镓gaas可以制成大功率的元器件才使得相控阵雷达的小型化得以实现。
正是因为砷化镓gaas这样的第二代半导体的出现，才使得相控阵雷达的研究开始在m国和sl之外的国家得以开发，像岛国，y国等许多国家相继加入。
苏长空当然也加入了这个研究的热潮，只不过他后世的先知先觉。
在即将到来的80年代是各行各业发展的快车道，但不得不说，在70代突破的各种材料才是80年代大爆发的基础，苏长空就牢牢地将这个基础掌握在手中，所以很就在红外